东科将出席2022（春季）亚洲充电展，进行合封氮化镓芯片和相关技术分享

从第一款氮化镓快充电源量产到如今成百上千款氮化镓新品涌入市场，短短三年时间，整个氮化镓快充电源市场的容量翻了百倍，昔日只有个别第三方配件品牌敢于尝试的氮化镓技术，如今便已成为了一线手机、笔电品牌的主流产品，不得不感叹技术迭代的魅力。目前已有多家厂商推出数十款合封氮化镓芯片，在即将举办的2022（春季）亚洲充电展上，东科将分享并展示最新推出的合封氮化镓芯片和相关技术分享。

A12、13、14、15展位：东科半导体（安徽）股份有限公司

  DK025G是一款高度集成了650V/800mΩ GaN HEMT的准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片。DK025G检测功率管漏极和源极之间的电压VDS,当VDS达到其最低值时开启功率管，从而减小开关损耗并改善电磁干扰(EMI)。芯片最高支持250KHz开关频率，芯片内部集成氮化镓开关管、控制器、驱动器、高压启动电路和保护单元。

DK025G

  DK025G采用ESOP8封装，可通过PCB铜箔散热，简化散热要求，降低温升。这款芯片广泛应用于高功率密度快速充电器，笔记本电脑，平板电脑和机顶盒等产品的适配器。

  DK025G极大的简化了反激式AC-DC转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK025G具备完善的保护功能：输出过压保护(OVP)，VCC过欠压保护，过温保护(OTP)，开环保护，输出过流保护(OCP)等。

  东科推出的DK036G是一款高度集成的QR反激合封氮化镓芯片，芯片内部集成650V 400mΩ氮化镓开关管、控制器、驱动器、高压启动电路和保护单元。芯片通过内部快速频率折返功能来调制最小峰值电流，达到快速降低开关频率的目的，从而有效降低系统在轻载下的损耗，提升系统的效率。芯片采用130KHz PWM开关频率，可以有效缩小充电器的变压器体积，得到性能和成本的平衡。DK036G内置过热、过流、过压和输出短路、次级开路保护功能，采用ESOP-8封装形式，可通过PCB铜箔散热，简化散热要求，降低温升。可以广泛应用于PD快充和电源适配器。

DK045G

  东科DK045G是一款高度集成了 650V/400mΩ GaN HEMT 的准谐振反激控制 AC-DC 功率开关芯片，支持45W及以下功率应用。DK045G 检测功率管漏极和源极之间的电压（VDS），当 VDS达到其最低值时开启功率管，从而减小开关损耗并改善电磁干扰（EMI）。东科DK045G采用PDFN5*6封装模式，可广泛应用于高功率快充充电器，笔记本平板等适配器以及辅助和待机电源。

  DK045G 极大的简化了反激式 AC-DC 转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK045G 具备完善的保护功能：输出过压保护（OVP），VCC 过欠压保护，过温护（OTP）， 开环保护，输出过流保护（OCP）等。